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鼎鎵半導體深紫外LED芯片項目入選浙江南湖科技計劃重點項目名單

放大字體  縮小字體 發布日期:2023-08-10 瀏覽次數:253

近日,鼎鎵半導體宣布了其基于第三代半導體的大功率深紫外LED芯片的研發項目進入2023年度浙江南湖區科技計劃重點項目名單。官方消息顯示,鼎鎵半導體是一家以第三代半導體外延片制備、芯片設計及相關應用產品研發為主的研發先導性科技企業,主要產品是以第三代半導體材料為主的GaN紫外光電半導體芯片(深紫外LED芯片)、深紫外探測器、氮化鎵功率芯片系列。

2022年1月,鼎鎵半導體實現了國內首張6英寸高功率深紫外LED外延的結構設計和生長流片,完成了工藝和配方的量產調試,將傳統的50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產成本降低到原有價格的三分之一,同時將高功率固態半導體深紫外DUV激光器光源的研制生產變為了可能。

據介紹,鼎鎵半導體在普通藍寶石襯底的基礎上,引入了全新的半導體材料與AlGaN材料結合的方式,通過超晶格結構使用兩類半導體化合物材料優勢互補,克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現的晶格失配的缺陷,突破了傳統AlGaN外延PIN結構的限制,實現了6英寸外延生產工藝的創造性突破。

經第三方權威機構檢測,外延一致性達到了97%,峰值波長在265nm,輸出光功率不低于1500a.u.,核心buffer層厚度突破了4μm。目前,鼎鎵半導體已獲得多項發明與實用新型專利,產品主要應用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味,涉及工業環保、生命醫療、民生健康等領域。

(來源:LEDInside)

 
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